DS1270AB-70IND#

DS1270AB-70IND#图片1
DS1270AB-70IND#概述

Ic Nvsram 16Mbit 70ns 36edip

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 16Mb 2M x 8 Parallel 70ns 36-EDIP


得捷:
IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP


贸泽:
NVRAM 16M NV SRAM


DS1270AB-70IND#中文资料参数规格
技术参数

存取时间 70 ns

电源电压 4.75V ~ 5.25V

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 EDIP-36

外形尺寸

封装 EDIP-36

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

DS1270AB-70IND#引脚图与封装图
DS1270AB-70IND#引脚图
DS1270AB-70IND#封装图
DS1270AB-70IND#封装焊盘图
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型号: DS1270AB-70IND#
描述:Ic Nvsram 16Mbit 70ns 36edip
替代型号DS1270AB-70IND#
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Maxim Integrated 美信

当前型号

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