DS1265Y-70+参数规格_中文资料_数据手册PDF

DS1265Y-70+概述

Non-Volatile SRAM Module, 1MX8, 70ns, CMOS, 0.74INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-36

Memory IC 8Mb 1M x 8 Parallel 70ns 36-EDIP

得捷:
IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP

立创商城:
8Mbit 4.5V~5.5V

贸泽:
NVRAM 8M NV SRAM

Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 8M-Bit 5V 36-Pin EDIP

DS1265Y-70+中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max

时钟频率 70.0 GHz

存取时间 70 ns

内存容量 8000000 B

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 36

封装 EDIP-36

外形尺寸

长度 53.34 mm

宽度 18.8 mm

高度 10.29 mm

封装 EDIP-36

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

DS1265Y-70+引脚图与封装图

在线购买DS1265Y-70+

型号： DS1265Y-70+

描述：Non-Volatile SRAM Module, 1MX8, 70ns, CMOS, 0.74INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-36

替代型号DS1265Y-70+