DS1265AB-70+参数规格_中文资料_数据手册PDF

DS1265AB-70+概述

IC NVSRAM 8Mbit 70NS 36DIP

NVSRAM（非易失性 SRAM）存储器 IC 8Mb（1M x 8）并联 70 ns 36-EDIP

得捷:
IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP

安富利:
NVRAM NVSRAM Parallel 8M-Bit 5V 36-Pin EDIP

Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 8M-Bit 5V 36-Pin EDIP

DS1265AB-70+中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.25 V max

时钟频率 70.0 GHz

存取时间 70.0 ns

内存容量 1000000 B

电源电压 4.75V ~ 5.25V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 36

封装 EDIP-36

外形尺寸

封装 EDIP-36

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

DS1265AB-70+引脚图与封装图

在线购买DS1265AB-70+

型号： DS1265AB-70+

描述：IC NVSRAM 8Mbit 70NS 36DIP

替代型号DS1265AB-70+