DS1265W-100+参数规格_中文资料_数据手册PDF

DS1265W-100+概述

IC NVSRAM 8Mbit 100NS 36DIP

NVSRAM（非易失性 SRAM）存储器 IC 8Mb（1M x 8）并联 100 ns 36-EDIP

得捷:
IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP

贸泽:
NVRAM 3.3V 8M NV SRAM

安富利:
NVRAM NVSRAM Parallel 8M-Bit 3.3V 36-Pin EDIP

Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 8M-Bit 3.3V 36-Pin EDIP

Win Source:
IC NVSRAM 8MBIT 100NS 36EDIP

DS1265W-100+中文资料参数规格

技术参数

存取时间 100 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 EDIP-36

外形尺寸

长度 53.34 mm

宽度 18.8 mm

高度 10.29 mm

封装 EDIP-36

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

DS1265W-100+引脚图与封装图

在线购买DS1265W-100+

型号： DS1265W-100+

描述：IC NVSRAM 8Mbit 100NS 36DIP

替代型号DS1265W-100+