DS1270W-100IND#参数规格_中文资料_数据手册PDF

DS1270W-100IND#概述

Non-Volatile SRAM Module, 2MX8, 100ns, CMOS, PDIP36, 0.74INCH, ROHS COMPLIANT, EDIP-36

NVSRAM（非易失性 SRAM）存储器 IC 16Mb（2M x 8）并联 36-EDIP

得捷:
IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP

DS1270W-100IND#中文资料参数规格

技术参数

存取时间 100 ns

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 EDIP-36

外形尺寸

封装 EDIP-36

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准无铅

数据手册

DS1270W-100IND#引脚图与封装图

在线购买DS1270W-100IND#

型号： DS1270W-100IND#

描述：Non-Volatile SRAM Module, 2MX8, 100ns, CMOS, PDIP36, 0.74INCH, ROHS COMPLIANT, EDIP-36

替代型号DS1270W-100IND#