DS1265Y-70IND+

DS1265Y-70IND+图片1
DS1265Y-70IND+图片2
DS1265Y-70IND+概述

IC NVSRAM 8Mbit 70NS 36DIP

NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 8Mb(1M x 8) 并联 70 ns 36-EDIP


得捷:
IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP


立创商城:
DS1265Y 70IND+


DS1265Y-70IND+中文资料参数规格
技术参数

存取时间 70 ns

电源电压 4.5V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DIP-36

外形尺寸

封装 DIP-36

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

DS1265Y-70IND+引脚图与封装图
DS1265Y-70IND+引脚图
DS1265Y-70IND+封装图
DS1265Y-70IND+封装焊盘图
在线购买DS1265Y-70IND+
型号: DS1265Y-70IND+
描述:IC NVSRAM 8Mbit 70NS 36DIP
替代型号DS1265Y-70IND+
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DS1265Y-70IND+

Maxim Integrated 美信

当前型号

当前型号

DS1265Y-70IND

美信

类似代替

DS1265Y-70IND+和DS1265Y-70IND的区别

DS1265AB-100+

美信

功能相似

DS1265Y-70IND+和DS1265AB-100+的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台