DS10BR150TSD/NOPB

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DS10BR150TSD/NOPB概述

TEXAS INSTRUMENTS  DS10BR150TSD/NOPB  芯片, 缓冲器/中继器, LVDS, LLP-8

LVDS/M-LVDS/ECL/CML,转发器/缓冲器,Texas Instruments

### LVDS 通信

低压差分信号或 LVDS 是可以在廉价双绞线铜电缆上以极高速度运行的电子信号系统。

应用:Firewire、SATA、SCSI


得捷:
IC REDRIVER LVDS 1CH 1GBPS 8WSON


立创商城:
DS10BR150TSD/NOPB


德州仪器TI:
1.0-Gbps LVDS buffer/repeater


欧时:
### LVDS/M-LVDS/ECL/CML,转发器/缓冲器,Texas Instruments### LVDS 通信低压差分信号或 LVDS 是可以在廉价双绞线铜电缆上以极高速度运行的电子信号系统。应用:Firewire、SATA、SCSI


贸泽:
LVDS Interface IC 1.0GBPS LVDS BFR/ REPEATER


e络盟:
TEXAS INSTRUMENTS  DS10BR150TSD/NOPB  芯片, 缓冲器/中继器, LVDS, LLP-8, 整卷


艾睿:
LVDS Buffer/Repeater 1000Mbps 0.45V 8-Pin WSON EP T/R


安富利:
LVDS Buffer/Repeater 0.45V 8-Pin LLP EP T/R


Chip1Stop:
LVDS Buffer/Repeater 0.45V 8-Pin LLP EP T/R


Verical:
LVDS Buffer/Repeater 1000Mbps 0.45V 8-Pin WSON EP T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  DS10BR150TSD/NOPB  LVDS Driver, Differential Buffer / Repeater, 39 ps, 21 mA, -40 C, 85 C, 3 V


力源芯城:
1.0 Gbps LVDS 缓冲器/中继器


Win Source:
Buffer, ReDriver 1 Channel 1Gbps 8-WSON 3x3


DS10BR150TSD/NOPB中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 3.00V min

供电电流 16 mA

通道数 1

针脚数 8

耗散功率 2080 mW

数据速率 1.00 Gbps

功耗 53.0 W

输入电容 1.7 pF

输入电压Max 0.1 V

输入电压Min 0.1 V

输出电压Max 0.45 V

输入电流Min 10 μA

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 2080 mW

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 WFDFN-8

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 3 mm

高度 0.8 mm

封装 WFDFN-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 信号处理, 通信与网络, 时钟与计时, LVDS

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

DS10BR150TSD/NOPB引脚图与封装图
DS10BR150TSD/NOPB引脚图
DS10BR150TSD/NOPB封装图
DS10BR150TSD/NOPB封装焊盘图
在线购买DS10BR150TSD/NOPB
型号: DS10BR150TSD/NOPB
制造商: TI 德州仪器
描述:TEXAS INSTRUMENTS  DS10BR150TSD/NOPB  芯片, 缓冲器/中继器, LVDS, LLP-8
替代型号DS10BR150TSD/NOPB
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DS10BR150TSD/NOPB

TI 德州仪器

当前型号

当前型号

DS10BR150TSDX/NOPB

德州仪器

类似代替

DS10BR150TSD/NOPB和DS10BR150TSDX/NOPB的区别

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