Texas Instruments集成电路利用霍尔效应，用于实施非接触感应、切换和闭锁功能。### 霍尔效应传感器，Texas Instruments
霍尔效应开关和闩锁，Texas Instruments
集成电路利用霍尔效应，用于实施非接触感应、切换和闭锁功能。
得捷:
MAGNETIC SWITCH LATCH
立创商城:
数字锁存霍尔效应传感器
德州仪器TI:
High voltage up to 38-V, high bandwidth 30-kHz Hall effect latch
欧时:
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贸泽:
Board Mount Hall Effect / Magnetic Sensors 2.5 to 38 V 3-SOT-23 -40 to 125
艾睿:
Hall Effect Sensor Bipolar Latch 3.3V/5V/9V/12V/15V/18V/24V 3-Pin SOT-23 T/R
安富利:
Hall Effect Sensor 30mA Bipolar 2.5V to 38V 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Hall Effect Sensor Bipolar Latch 3.3V/5V/9V/12V/15V/18V/24V 3-Pin SOT-23 T/R
输出电压 38 V
输出电流 30 mA
输出电流Max 30 mA
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 2.7V ~ 38V
电源电压Max 38 V
电源电压Min 2.5 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
高度 1.02 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DRV5013AGQDBZT TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
DRV5013AGQDBZR 德州仪器 | 完全替代 | DRV5013AGQDBZT和DRV5013AGQDBZR的区别 |