DTC114YET1

DTC114YET1图片1
DTC114YET1图片2
DTC114YET1图片3
DTC114YET1图片4
DTC114YET1图片5
DTC114YET1图片6
DTC114YET1概述

DTC114YET1 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 10k 47k sot-523 marking/标记 BD

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| 50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| 100mA/0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 10KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 47KΩ/Ohm 电阻比R1/R2 Resistance Ratio| 0.21 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 80 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 250MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.2W/200mW Description & Applications| Features 1 Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors see equivalent circuit. 2 The bias resistors consist of thin film resistors with complete isolation to allow negative biasing of the input. They also have the advantage of almost completely eliminating parasitic effects. 3 Only the on/off conditions need to be set for operation, making device design easy 描述与应用| 特性 1)内置启用偏置电阻器的逆变器电路的配置,而无需连接外部输入电阻(见等效电路)。 2)偏置电阻组成的薄膜电阻完全隔离,允许负偏置输入。他们也有优势,几乎完全消除了寄生效应。 3)只有开/关条件需要设置操作,使装置设计容易

DTC114YET1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

耗散功率 0.2 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 80

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-75-3

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 0.8 mm

高度 0.75 mm

封装 SC-75-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买DTC114YET1
型号: DTC114YET1
描述:DTC114YET1 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 10k 47k sot-523 marking/标记 BD
替代型号DTC114YET1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DTC114YET1

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

DTC114YET1G

安森美

类似代替

DTC114YET1和DTC114YET1G的区别

DTC114Y

安森美

类似代替

DTC114YET1和DTC114Y的区别

SDTC114YET1G

安森美

功能相似

DTC114YET1和SDTC114YET1G的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台