DTC143ZET1G

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DTC143ZET1G概述

ON SEMICONDUCTOR  DTC143ZET1G  Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 Ratio, SOT-416 新

双电阻器数字 NPN ,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。

### 数字晶体管,On Semiconductor

配备电阻器的也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。

DTC143ZET1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

额定功率 200 mW

无卤素状态 Halogen Free

极性 NPN

耗散功率 0.3 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 80

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

电源电压 50 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-75-3

外形尺寸

长度 1.65 mm

宽度 0.9 mm

高度 0.8 mm

封装 SC-75-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

DTC143ZET1G引脚图与封装图
DTC143ZET1G引脚图
DTC143ZET1G封装图
DTC143ZET1G封装焊盘图
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型号: DTC143ZET1G
描述:ON SEMICONDUCTOR  DTC143ZET1G  Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 Ratio, SOT-416 新
替代型号DTC143ZET1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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