DSC9G02C0L概述
NPN硅外延平面型 Silicon NPN epitaxial planar type
RF TRANS NPN 20V 650MHZ SSMINI3
得捷:
RF TRANS NPN 20V 650MHZ SSMINI3
艾睿:
Trans RF BJT NPN 20V 0.015A 3-Pin SSMini3-F3-B T/R
Win Source:
TRANS RF NPN 20V 15MA SSMINI3
DeviceMart:
TRANS RF NPN 20V 15MA SSMINI3
DSC9G02C0L中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 125 mW
击穿电压集电极-发射极 20 V
增益 24 dB
最小电流放大倍数hFE 65 @1mA, 6V
额定功率Max 125 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SSMini3-F3-B
外形尺寸
封装 SSMini3-F3-B
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
DSC9G02C0L引脚图与封装图 
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