DMC506E20R参数规格_中文资料_数据手册PDF

DMC506E20R概述

对于SMini6型封装高频放大DMC206E2 For high-frequency amplification DMC206E2 in SMini6 type package

RF 2 NPN（双） 20V 15mA 650MHz 150mW 表面贴装型 SOT-363

得捷:
RF TRANS 2 NPN 20V 650MHZ SOT363

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Composite Transistor SC-113DB/SOT-363

DMC506E20R中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 150 mW

增益频宽积 650 MHz

击穿电压集电极-发射极 20 V

增益 24 dB

最小电流放大倍数hFE 65 @1mA, 6V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSSOP-6

外形尺寸

封装 TSSOP-6

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： DMC506E20R

描述：对于SMini6型封装高频放大DMC206E2 For high-frequency amplification DMC206E2 in SMini6 type package