数字晶体管（ BRT ） PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Digital Transistors BRT PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network
- 双极 BJT - 单，预偏置 PNP - 预偏压 表面贴装型 SOT-723
得捷:
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
立创商城:
DTA123EM3T5G
贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-723 T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-723 T/R
Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 260MW SOT723
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
无卤素状态 Halogen Free
极性 PNP
耗散功率 260 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 8 @5mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 80
额定功率Max 260 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 600 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-723-3
长度 1.2 mm
宽度 0.8 mm
高度 0.5 mm
封装 SOT-723-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DTA123EM3T5G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MMUN2135LT1G 安森美 | 功能相似 | DTA123EM3T5G和MMUN2135LT1G的区别 |
2PD601AQW,115 恩智浦 | 功能相似 | DTA123EM3T5G和2PD601AQW,115的区别 |
BCR141S 西门子 | 功能相似 | DTA123EM3T5G和BCR141S的区别 |