NPN 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| 50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| 100mA/0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 100KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 100KΩ/Ohm 电阻比R1/R2 Resistance Ratio| 1 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 80 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.26W/260mW Description & Applications| Features • Simplifies Circuit Design • Reduces Board Space • Reduces Component Count • The SOT−723 Package can be Soldered using Wave or Reflow. • Available in 4 mm, 8000 Unit Tape & Reel • These are Pb−Free Devices 描述与应用| 特性 •简化电路设计 •缩小板级空间 •减少元件数量 •SOT-723封装,可以使用波或回流焊接。 •可用在4毫米,8000单位带卷 •这些都是Pb-Free设备
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
无卤素状态 Halogen Free
极性 NPN
耗散功率 0.6 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 80
额定功率Max 260 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 338 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-723-3
长度 1.25 mm
宽度 0.85 mm
高度 0.55 mm
封装 SOT-723-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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DTC115EM3T5G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
DTC115EMT2L 罗姆半导体 | 功能相似 | DTC115EM3T5G和DTC115EMT2L的区别 |