DTC115EM3T5G

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DTC115EM3T5G概述

NPN 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| 50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| 100mA/0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 100KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 100KΩ/Ohm 电阻比R1/R2 Resistance Ratio| 1 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 80 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.26W/260mW Description & Applications| Features • Simplifies Circuit Design • Reduces Board Space • Reduces Component Count • The SOT−723 Package can be Soldered using Wave or Reflow. • Available in 4 mm, 8000 Unit Tape & Reel • These are Pb−Free Devices 描述与应用| 特性 •简化电路设计 •缩小板级空间 •减少元件数量 •SOT-723封装,可以使用波或回流焊接。 •可用在4毫米,8000单位带卷 •这些都是Pb-Free设备

DTC115EM3T5G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

无卤素状态 Halogen Free

极性 NPN

耗散功率 0.6 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 80

额定功率Max 260 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 338 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-723-3

外形尺寸

长度 1.25 mm

宽度 0.85 mm

高度 0.55 mm

封装 SOT-723-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

DTC115EM3T5G引脚图与封装图
DTC115EM3T5G引脚图
DTC115EM3T5G封装图
DTC115EM3T5G封装焊盘图
在线购买DTC115EM3T5G
型号: DTC115EM3T5G
描述:NPN 晶体管,ON Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 数字晶体管,On Semiconductor 配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
替代型号DTC115EM3T5G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DTC115EM3T5G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

DTC115EMT2L

罗姆半导体

功能相似

DTC115EM3T5G和DTC115EMT2L的区别

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