DTA123JM3T5G参数规格_中文资料_数据手册PDF

DTA123JM3T5G概述

数字晶体管（ BRT ） PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Digital Transistors BRT PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network

- 双极 BJT - 单，预偏置 PNP - 预偏压表面贴装型 SOT-723

得捷:
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723

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DTA123JM3T5G

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双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP

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Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R

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Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R

DTA123JM3T5G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

无卤素状态 Halogen Free

极性 PNP

耗散功率 0.6 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80

最大电流放大倍数hFE 80

额定功率Max 260 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 600 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-723-3

外形尺寸

长度 1.2 mm

宽度 0.8 mm

高度 0.5 mm

封装 SOT-723-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买DTA123JM3T5G

型号： DTA123JM3T5G

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：数字晶体管（ BRT ） PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Digital Transistors BRT PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network

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替代型号DTA123JM3T5G

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
DTA123JM3T5G ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
DTA123JET1G 安森美	类似代替	DTA123JM3T5G和DTA123JET1G的区别
DTA123JET1 安森美	功能相似	DTA123JM3T5G和DTA123JET1的区别
BC818-16 Central Semiconductor	功能相似	DTA123JM3T5G和BC818-16的区别