DTA143EM3T5G

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DTA143EM3T5G概述

数字晶体管( BRT ) PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Digital Transistors BRT PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network

- 双极 BJT - 单,预偏置 PNP - 预偏压 表面贴装型 SOT-723


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723


立创商城:
DTA143EM3T5G


贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP


艾睿:
Compared to traditional BJ transistors, the PNP DTA143EM3T5G digital transistor from ON Semiconductor is meant to be used with digital signal processing circuits. This product&s;s maximum continuous DC collector current is 100 mA, while its minimum DC current gain is 15@5mA@10 V. It has a maximum collector emitter saturation voltage of 0.25@1mA@10mA V. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V. Its maximum power dissipation is 600 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. It is made in a single configuration. This transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


安富利:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-723 T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-723 T/R


Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-723 T/R


DTA143EM3T5G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

无卤素状态 Halogen Free

极性 PNP

耗散功率 0.6 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 15

最大电流放大倍数hFE 15

额定功率Max 260 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 600 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-723-3

外形尺寸

长度 1.2 mm

宽度 0.8 mm

高度 0.5 mm

封装 SOT-723-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买DTA143EM3T5G
型号: DTA143EM3T5G
描述:数字晶体管( BRT ) PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Digital Transistors BRT PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network
替代型号DTA143EM3T5G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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