偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors
- 双极 BJT - 单，预偏置 PNP - 预偏压 表面贴装型 SC-75，SOT-416
得捷:
TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC75
立创商城:
DTA123JET1G
贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
安富利:
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin SC-75 T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-416 T/R
Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
无卤素状态 Halogen Free
极性 PNP
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 80
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-75-3
长度 1.6 mm
宽度 0.8 mm
高度 0.75 mm
封装 SC-75-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DTA123JET1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
DTA123JET1 安森美 | 类似代替 | DTA123JET1G和DTA123JET1的区别 |
DTA123JM3T5G 安森美 | 类似代替 | DTA123JET1G和DTA123JM3T5G的区别 |
DTA123JETL 罗姆半导体 | 功能相似 | DTA123JET1G和DTA123JETL的区别 |