DMN3032LFDBQ-13

DMN3032LFDBQ-13图片1
DMN3032LFDBQ-13中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 6.2A

输入电容Ciss 500pF @15VVds

额定功率Max 1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 uDFN-6

外形尺寸

封装 uDFN-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DMN3032LFDBQ-13
型号: DMN3032LFDBQ-13
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:MOSFET Dual N-Ch Enh FET 30V 20Vgss 1W

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