D44H11TU

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D44H11TU概述

NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

The is a NPN Epitaxial Silicon Transistor offers 1V maximum low collector-emitter saturation voltage VCEsat @ 8A and 10A collector current DC.

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Fast switching speeds
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Complement to KSE45H

得捷:
TRANS NPN 80V 10A TO220-3


欧时:
### 功率 NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN/80V/8A


艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 10A 3-Pin3+Tab TO-220 Rail


安富利:
Trans GP BJT NPN 80V 10A 3-Pin3+Tab TO-220 Rail


Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 10A 3-Pin3+Tab TO-220 Rail


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  D44H11TU  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 80 V, 50 MHz, 1.67 W, 10 A, 60


罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 80V 10A 3-Pin3+Tab TO-220 Rail


Win Source:
TRANS NPN 80V 10A TO-220


DeviceMart:
TRANSISTOR NPN 80V 10A TO-220


D44H11TU中文资料参数规格
技术参数

频率 50 MHz

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 1.67 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 10A

最小电流放大倍数hFE 40 @4A, 1V

最大电流放大倍数hFE 60 @2A, 1V

额定功率Max 60 W

直流电流增益hFE 60

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 50 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.83 mm

高度 9.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买D44H11TU
型号: D44H11TU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
替代型号D44H11TU
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D44H11

飞兆/仙童

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