NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
The is a NPN Epitaxial Silicon Transistor offers 1V maximum low collector-emitter saturation voltage VCEsat @ 8A and 10A collector current DC.
得捷:
TRANS NPN 80V 10A TO220-3
欧时:
### 功率 NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN/80V/8A
艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 10A 3-Pin3+Tab TO-220 Rail
安富利:
Trans GP BJT NPN 80V 10A 3-Pin3+Tab TO-220 Rail
Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 10A 3-Pin3+Tab TO-220 Rail
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR D44H11TU Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 80 V, 50 MHz, 1.67 W, 10 A, 60
罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 80V 10A 3-Pin3+Tab TO-220 Rail
Win Source:
TRANS NPN 80V 10A TO-220
DeviceMart:
TRANSISTOR NPN 80V 10A TO-220
频率 50 MHz
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 1.67 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 10A
最小电流放大倍数hFE 40 @4A, 1V
最大电流放大倍数hFE 60 @2A, 1V
额定功率Max 60 W
直流电流增益hFE 60
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 50 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.83 mm
高度 9.4 mm
封装 TO-220-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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D44H11TU Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
D44H11 飞兆/仙童 | 类似代替 | D44H11TU和D44H11的区别 |
D44H11G 安森美 | 功能相似 | D44H11TU和D44H11G的区别 |