DMN3110S

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DMN3110S中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.054 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 740 mW

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买DMN3110S
型号: DMN3110S
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:DIODES INC.  DMN3110S  晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 3.3 A, 30 V, 0.054 ohm, 10 V, 1 V
替代型号DMN3110S
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Vishay Semiconductor 威世

当前型号

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