DMN4800LSSL

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DMN4800LSSL中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.011 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.46 W

阈值电压 1.2 V

漏源极电压Vds 30 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

封装 SOIC

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买DMN4800LSSL
型号: DMN4800LSSL
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:DIODES INC.  DMN4800LSSL  晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 6.7 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 1.2 V
替代型号DMN4800LSSL
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DMN4800LSSL

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