Supertex N 通道耗尽型 MOSFET 晶体管Microchip 的 Supertex 系列 N 通道耗尽型 DMOS FET 晶体管适用于要求高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和切换速度快的应用。### 特点高输入阻抗 低输入电容 切换速度快 低接通电阻 无次级击穿 低输入和输出泄漏 ### 典型应用常开开关 固态继电器 转换器 线性放大器 恒定电流源 电源电路 电信 ### MOSFET 晶体管,Microchip
表面贴装型 N 通道 350 V 135mA(Tj) 1.3W(Ta) TO-243AA(SOT-89)
得捷:
MOSFET N-CH 350V 135MA TO243AA
立创商城:
N沟道 350V 135mA
欧时:
### Supertex N 通道耗尽型 MOSFET 晶体管Microchip 的 Supertex 系列 N 通道耗尽型 DMOS FET 晶体管适用于要求高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和切换速度快的应用。### 特点高输入阻抗 低输入电容 切换速度快 低接通电阻 无次级击穿 低输入和输出泄漏 ### 典型应用常开开关 固态继电器 转换器 线性放大器 恒定电流源 电源电路 电信 ### MOSFET 晶体管,Microchip
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 135 mA, 350 V, 35 ohm, 0 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R
Allied Electronics:
3 SOT-89 T/RMOSFET, DEPLETION-MODE, 350V, 35 Ohm
安富利:
Trans MOSFET N-CH 350V 0.135A 3-Pin SOT-89 T/R
富昌:
MOSFET, DEPLETION-MODE, 350V, 35 Ohm
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.18A; 1.3W; SOT89-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R
Newark:
# MICROCHIP DN3135N8-G MOSFET Transistor, N Channel, 135 mA, 350 V, 35 ohm, 0 V
额定功率 1.3 W
针脚数 3
漏源极电阻 35 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.3 W
漏源极电压Vds 350 V
连续漏极电流Ids 0.135A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 120pF @25VVds
额定功率Max 1.3 W
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.3W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-89
长度 4.6 mm
宽度 2.6 mm
高度 1.6 mm
封装 SOT-89
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Communications & Networking, 通信与网络, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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DN3135N8-G Microchip 微芯 | 当前型号 | 当前型号 |
DN3135N8 微芯 | 功能相似 | DN3135N8-G和DN3135N8的区别 |