DB101G

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DB101G概述

桥式整流器 SI BRIDGE RECT DB-PK 50-1000V 1A 50P/35R

Bridge Rectifier Single Phase Standard 50V Through Hole DB


得捷:
BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1A DB


贸泽:
桥式整流器 SI BRIDGE RECT DB-PK 50-1000V 1A 50P/35R


艾睿:
Diode Rectifier Bridge Single 50V 1A 4-Pin Case DB


Newark:
# GENESIC SEMICONDUCTOR  DB101G  Bridge Rectifier Diode, Single, 50 V, 1 A, DIP, 1.1 V, 4 Pins


AMEYA360:
DIODE BRIDGE 50V 1A DB


Electro Sonic:
Silicon Bridge Rectifier - 50V - 1A - DB


DB101G中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.1V @1A

正向电流 1 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 30 A

正向电压Max 1.1 V

正向电流Max 1 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 4

封装 EDIP-4

外形尺寸

高度 3.3 mm

封装 EDIP-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买DB101G
型号: DB101G
制造商: GeneSiC Semiconductor
描述:桥式整流器 SI BRIDGE RECT DB-PK 50-1000V 1A 50P/35R
替代型号DB101G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DB101G

GeneSiC Semiconductor

当前型号

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DB101

台湾半导体

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DB101G和DB101的区别

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