DB103G

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DB103G概述

GENESIC SEMICONDUCTOR DB103G Bridge Rectifier Diode, Single, 200V, 1A, DIP, 1.1V, 4Pins

Bridge Rectifier Single Phase Standard 200V


得捷:
BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DB


艾睿:
Diode Rectifier Bridge Single 200V 1A 4-Pin Case DB


Newark:
# GENESIC SEMICONDUCTOR  DB103G  Bridge Rectifier Diode, Single, 200 V, 1 A, DIP, 1.1 V, 4 Pins


Electro Sonic:
Silicon Bridge Rectifier - 200V - 1A - DB


DeviceMart:
DIODE BRIDGE 200V 1A DB


DB103G中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.1V @1A

正向电流 1 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 30 A

正向电压Max 1.1 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 4

封装 EDIP-4

外形尺寸

高度 3.3 mm

封装 EDIP-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买DB103G
型号: DB103G
制造商: GeneSiC Semiconductor
描述:GENESIC SEMICONDUCTOR DB103G Bridge Rectifier Diode, Single, 200V, 1A, DIP, 1.1V, 4Pins
替代型号DB103G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DB103G

GeneSiC Semiconductor

当前型号

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DB103

台湾半导体

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DB103G和DB103的区别

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