功率 NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
This device is designed for power amplifier, regulator and switching circuits where speed is important. Sourced from Process 4Q.
得捷:
TRANS NPN 60V 10A TO220AB
艾睿:
Trans GP BJT NPN 60V 8A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 60V 8A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail
Verical:
Trans GP BJT NPN 60V 10A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR D44H8 Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 60 V, 50 MHz, 50 W, 8 A, 60 hFE
罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 60V 8A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail
频率 50 MHz
额定电压DC 60.0 V
额定电流 8.00 A
极性 NPN
耗散功率 50 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
最小电流放大倍数hFE 40 @4A, 1V
额定功率Max 60 W
直流电流增益hFE 60
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 60000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.83 mm
高度 9.4 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Rail
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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D44H8 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
2N6487G 安森美 | 功能相似 | D44H8和2N6487G的区别 |