DF3A6.2FUTE85LF

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DF3A6.2FUTE85LF概述

ESD 抑制器/TVS 二极管 ESD 2 Circuit 55pF 1uA 6.2V 100mW

\- 夹子 - Ipp TVS - 表面贴装型 USM


得捷:
TVS DIODE 3VWM USM


立创商城:
DF3A6.2FUTE85LF


贸泽:
ESD 抑制器/TVS 二极管 ESD 2 Circuit 55pF 1uA 6.2V 100mW


艾睿:
DIODES FOR PROTECTING AGAINST ESD


安富利:
Diode Zener Dual Common Anode 6.2V 100mW 3-Pin SOT-323 Embossed T/R


Win Source:
TVS DIODE 3VWM USM


DF3A6.2FUTE85LF中文资料参数规格
技术参数

工作电压 3 V

击穿电压 5.8 V

通道数 2

耗散功率 100 mW

测试电流 5 mA

稳压值 6.2 V

最小反向击穿电压 5.8 V

工作温度Max 125 ℃

耗散功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

封装 SOT-323-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DF3A6.2FUTE85LF
型号: DF3A6.2FUTE85LF
制造商: Toshiba 东芝
描述:ESD 抑制器/TVS 二极管 ESD 2 Circuit 55pF 1uA 6.2V 100mW

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