互补硅功率晶体管 Complementary Silicon Power Transistor
Complementary Silicon Power Transistor
The and D44C12 are for general purpose driver or medium power output stages in CW or switching applications.
Features
• Low Collector-Emitter Saturation Voltage - 0.5 V Max
• High ft for Good Frequency Response
• Low Leakage Current
• Pb-Free Packages are Available 得捷:
TRANS PNP 80V 4A TO220
艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 4A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail
罗切斯特:
Trans GP BJT PNP 80V 4A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail
额定电压DC -80.0 V
额定电流 -4.00 A
极性 Dual P-Channel
耗散功率 30.0 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 40 @200mA, 1V
额定功率Max 30 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
高度 9.28 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Rail
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
D45C12 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
D45C12G 安森美 | 类似代替 | D45C12和D45C12G的区别 |
KSB596YTU 飞兆/仙童 | 功能相似 | D45C12和KSB596YTU的区别 |