DFE252012F-1R0M=P2

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DFE252012F-1R0M=P2概述

功率电感SMD, 1 µH, 3.3 A, 绕线, 4.7 A, DFE252012F Series, 2.5mm x 2mm x 1.2mm

屏蔽 - 器 40 毫欧最大 1008(2520 公制)


得捷:
FIXED IND 1UH 3.3A 40 MOHM SMD


欧时:
Fixed inductor 1008 1uH 4.7A


立创商城:
1uH ±20% 3.3A 40mΩ


贸泽:
Fixed Inductors 1.0uH 40mOhms 4.7A 2.5x2.0mm 20%


艾睿:
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal 3.3A 0.04Ohm DCR 1008 T/R


安富利:
Ind Power Chip Shielded Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal 3.3A 1008 Emboss T/R


Verical:
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal 3.3A 0.04Ohm DCR 1008 T/R


DFE252012F-1R0M=P2中文资料参数规格
技术参数

额定电流 3.3 A

容差 ±20 %

电感 1 µH

电感公差 ±20 %

测试频率 1 MHz

电阻DC) ≤40 mΩ

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min 40 ℃

电阻DC Max 0.04 Ω

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 1008

外形尺寸

长度 2.5 mm

宽度 2 mm

高度 1.2 mm

封装 1008

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

DFE252012F-1R0M=P2引脚图与封装图
DFE252012F-1R0M=P2引脚图
DFE252012F-1R0M=P2封装图
DFE252012F-1R0M=P2封装焊盘图
在线购买DFE252012F-1R0M=P2
型号: DFE252012F-1R0M=P2
制造商: muRata 村田
描述:功率电感SMD, 1 µH, 3.3 A, 绕线, 4.7 A, DFE252012F Series, 2.5mm x 2mm x 1.2mm

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