DFE252012F-R68M=P2

DFE252012F-R68M=P2图片1
DFE252012F-R68M=P2图片2
DFE252012F-R68M=P2图片3
DFE252012F-R68M=P2图片4
DFE252012F-R68M=P2概述

功率电感SMD, 680 nH, 3.9 A, 绕线, 5.4 A, DFE252012F Series, 2.5mm x 2mm x 1.2mm

屏蔽 - 器 31 毫欧最大 1008(2520 公制)


得捷:
FIXED IND 680NH 3.9A 31MOHM SMD


立创商城:
680nH ±20% 25mΩ


艾睿:
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 0.68uH 20% 1MHz Metal 3.9A 0.031Ohm DCR 1008 T/R


Verical:
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 0.68uH 20% 1MHz Metal 3.9A 0.031Ohm DCR 1008 T/R


DFE252012F-R68M=P2中文资料参数规格
技术参数

额定电流 3.9 A

容差 ±20 %

电感 0.68 µH

电感公差 ±20 %

测试频率 1 MHz

电阻DC) ≤31 mΩ

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

电阻DC Max 0.031 Ω

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 1008

外形尺寸

高度 1.2 mm

封装 1008

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买DFE252012F-R68M=P2
型号: DFE252012F-R68M=P2
制造商: muRata 村田
描述:功率电感SMD, 680 nH, 3.9 A, 绕线, 5.4 A, DFE252012F Series, 2.5mm x 2mm x 1.2mm

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台