DFE252012F-100M=P2

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DFE252012F-100M=P2概述

功率电感SMD, 10 µH, 950 mA, 绕线, 1.4 A, DFE252012F Series, 2.5mm x 2mm x 1.2mm

屏蔽 - 器 480 毫欧最大 1008(2520 公制)


得捷:
FIXED IND 10UH 950MA 480MOHM SMD


立创商城:
10uH ±20% 950mA 400mΩ


贸泽:
Fixed Inductors 10uH 480mOhms 1.4A 2.5x2.0mm 20%


e络盟:
功率电感SMD, 10 µH, 950 mA, 绕线, 1.4 A, DFE252012F Series, 2.5mm x 2mm x 1.2mm


艾睿:
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.95A 0.48Ohm DCR 1008 T/R


Verical:
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.95A 0.48Ohm DCR 1008 T/R


DFE252012F-100M=P2中文资料参数规格
技术参数

额定电流 950 mA

容差 ±20 %

电感 10 µH

电感公差 ±20 %

测试频率 1 MHz

电阻DC) ≤480 mΩ

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

电阻DC Max 0.48 Ω

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 1008

外形尺寸

长度 2.5 mm

宽度 2 mm

高度 1.2 mm

封装 1008

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买DFE252012F-100M=P2
型号: DFE252012F-100M=P2
制造商: muRata 村田
描述:功率电感SMD, 10 µH, 950 mA, 绕线, 1.4 A, DFE252012F Series, 2.5mm x 2mm x 1.2mm

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