DTC114EET1

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DTC114EET1概述

偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| 50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| 100mA/0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 10KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 10KΩ/Ohm 电阻比R1/R2 Resistance Ratio| 1 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 35 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 250MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.2W/200mW Description & Applications| Features 1 Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors see equivalent circuit. 2 The bias resistors consist of thin film resistors with complete isolation to allow negative biasing of the input. They also have the advantage of almost completely eliminating parasitic effects. 3 Only the on/off conditions need to be set for operation, making device design easy 描述与应用| 特性 1)内置启用偏置电阻器的逆变器电路的配置,而无需连接外部输入电阻(见等效电路)。 2)偏置电阻组成的薄膜电阻完全隔离,允许负偏置输入。他们也有优势,几乎完全消除了寄生效应。 3)只有开/关条件需要设置操作,使装置设计容易

DTC114EET1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

极性 N-Channel

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-416

外形尺寸

高度 0.75 mm

封装 SOT-416

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

在线购买DTC114EET1
型号: DTC114EET1
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor
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