PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount SC-75, SOT-416
得捷:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75
艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 8 @5mA, 10V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-416
高度 0.75 mm
封装 SOT-416
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DTA123EET1 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
DTA123EET1G 安森美 | 类似代替 | DTA123EET1和DTA123EET1G的区别 |
DTA123EETL 罗姆半导体 | 功能相似 | DTA123EET1和DTA123EETL的区别 |
DDTA123EE-7-F 美台 | 功能相似 | DTA123EET1和DDTA123EE-7-F的区别 |