互补硅功率晶体管 Complementary Silicon Power Transistor
Complementary Silicon Power Transistor
The D45C12 and D44C12 are for general purpose driver or medium power output stages in CW or switching applications.
Features
• Low Collector-Emitter Saturation Voltage - 0.5 V Max
• High ft for Good Frequency Response
• Low Leakage Current
• Pb-Free Packages are Available 得捷:
TRANS NPN 80V 4A TO220
艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 4A 30000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR D44C12G Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, NPN, 80 V, 40 MHz, 30 W, 4 A, 120 hFE
额定电压DC 80.0 V
额定电流 4.00 A
极性 NPN
耗散功率 30 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 40 @200mA, 1V
额定功率Max 30 W
直流电流增益hFE 120
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 30000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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D44C12G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
D44C12 安森美 | 完全替代 | D44C12G和D44C12的区别 |