D44C12G

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D44C12G概述

互补硅功率晶体管 Complementary Silicon Power Transistor

Complementary Silicon Power Transistor

The D45C12 and D44C12 are for general purpose driver or medium power output stages in CW or switching applications.

Features

• Low Collector-Emitter Saturation Voltage - 0.5 V Max

• High ft for Good Frequency Response

• Low Leakage Current

• Pb-Free Packages are Available
.

得捷:
TRANS NPN 80V 4A TO220


艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 4A 30000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  D44C12G  Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, NPN, 80 V, 40 MHz, 30 W, 4 A, 120 hFE


D44C12G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 80.0 V

额定电流 4.00 A

极性 NPN

耗散功率 30 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 4A

最小电流放大倍数hFE 40 @200mA, 1V

额定功率Max 30 W

直流电流增益hFE 120

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 30000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买D44C12G
型号: D44C12G
描述:互补硅功率晶体管 Complementary Silicon Power Transistor
替代型号D44C12G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

D44C12G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

D44C12

安森美

完全替代

D44C12G和D44C12的区别

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