DF3A6.2LFUTE85L,F

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DF3A6.2LFUTE85L,F概述

USM 6.2V 0.1W1/10W

Clamp Ipp Tvs Diode Surface Mount USM


得捷:
TVS DIODE 5VWM USM


贸泽:
ESD Suppressors / TVS Diodes ESD Zener 6.2V 55pF 2.5uA


Chip1Stop:
Diode Zener Dual Common Anode 6.2V 5% 100mW 3-Pin USM T/R


Win Source:
TVS DIODE 5VWM USM


DF3A6.2LFUTE85L,F中文资料参数规格
技术参数

击穿电压 5.9 V

通道数 2

耗散功率 100 mW

稳压值 6.2 V

最小反向击穿电压 5.9 V

工作温度Max 125 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-323-3

外形尺寸

封装 SOT-323-3

物理参数

工作温度 55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

DF3A6.2LFUTE85L,F引脚图与封装图
DF3A6.2LFUTE85L,F引脚图
DF3A6.2LFUTE85L,F封装图
DF3A6.2LFUTE85L,F封装焊盘图
在线购买DF3A6.2LFUTE85L,F
型号: DF3A6.2LFUTE85L,F
制造商: Toshiba 东芝
描述:USM 6.2V 0.1W1/10W

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