MICROCHIP DN3135K1-G 芯片, 场效应管, MOSFET, 耗尽模式, 350V, 35Ω, 3-SOT-23, T/R
是一款N沟道耗尽型垂直DMOS FET, 采用先进的垂直 DMOS 材质, 以及Supertex成熟的硅栅极制造工艺。这种组合技术器件具有双极的功率处理能力, 以及 MOS 器件的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS特性, 无热失控, 和温度热引起的二次击穿。该器件非常适合需要低阈值电压, 高击穿电压, 高输入阻抗, 低输入电容, 快速开关速度的开关和放大应用。
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- 低导通电阻
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- 无二次故障
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- 低输入和输出泄露
额定功率 0.36 W
针脚数 3
漏源极电阻 35 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 360 mW
漏源极电压Vds 350 V
连续漏极电流Ids 0.072A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 120pF @25VVds
额定功率Max 360 mW
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 360mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.95 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Communications & Networking, 通信与网络, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DN3135K1-G Microchip 微芯 | 当前型号 | 当前型号 |
DN3135K1 超科 | 功能相似 | DN3135K1-G和DN3135K1的区别 |