DMC502010R概述
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT Composite Transistor
一般放大 2 NPN（双）共基极 50V 100mA 表面贴装型 SMini5-F3-B
得捷:
TRANSISTOR NPN 50V SMINI5-F3-B
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT Composite Transistor
安富利:
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 5-Pin SC-113CB Embossed T/R
TME:
Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.1A; 150mW; SOT353
DMC502010R中文资料参数规格
技术参数
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 150 mW
增益频宽积 150 MHz
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 210
最大电流放大倍数hFE 460
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
额定电压 50 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 SOT-353-5
外形尺寸
封装 SOT-353-5
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 一般放大
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DMC502010R引脚图与封装图 
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