ROHM DTA143ZUAT106 单晶体管 双极, PNP, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 80 hFE
- 双极 BJT - 单,预偏置 PNP - 预偏压 表面贴装型 UMT3
得捷:
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
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PNP - 预偏压 100mA 50V
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晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, 50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
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Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin UMT T/R
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# ROHM DTA143ZUAT106 Bipolar BJT Single Transistor, PNP, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 80
Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
DeviceMart:
TRANS PNP 50V 100MA SOT-323
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V
额定功率Max 200 mW
直流电流增益hFE 80
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-70-3
封装 SC-70-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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DTA143ZUAT106 ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
DTA143EUAFRAT106 罗姆半导体 | 完全替代 | DTA143ZUAT106和DTA143EUAFRAT106的区别 |
DTA143XUAFRAT106 罗姆半导体 | 完全替代 | DTA143ZUAT106和DTA143XUAFRAT106的区别 |
DTA143EUAT106 罗姆半导体 | 类似代替 | DTA143ZUAT106和DTA143EUAT106的区别 |