ROHM DTC114GUAT106 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 10 mA, 30 hFE
- 双极 BJT - 单，预偏置 NPN - 预偏压 表面贴装型 UMT3
得捷:
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 100MA SOT-323
e络盟:
ROHM DTC114GUAT106 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 10 mA, 30 hFE
艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMT T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMT T/R
Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
DeviceMart:
TRANS NPN 50V 100MA SOT-323
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
额定功率 0.2 W
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 30
额定功率Max 200 mW
直流电流增益hFE 30
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.8 mm
封装 SOT-323-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DTC114GUAT106 ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
DTC114GUA 罗姆半导体 | 类似代替 | DTC114GUAT106和DTC114GUA的区别 |
MUN5215T1G 安森美 | 功能相似 | DTC114GUAT106和MUN5215T1G的区别 |
PDTC114TU,115 恩智浦 | 功能相似 | DTC114GUAT106和PDTC114TU,115的区别 |