ROHM DTC114YUAT106 单晶体管 双极, 数字式, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 68 hFE
二极管与整流器
得捷:
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
立创商城:
1个NPN-预偏置 70mA 50V
贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased DIGIT NPN 50V 100MA SOT-323
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Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMT T/R
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Trans Digital BJT NPN 100mA 3-Pin UMT T/R
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Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
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# ROHM DTC114YUAT106 Bipolar BJT Single Transistor, Digital, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 68 hFE
Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
DeviceMart:
TRAN DIGIT NPN 50V 100MA SOT-323
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
额定功率 0.2 W
极性 NPN
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 68 @5mA, 5V
额定功率Max 200 mW
直流电流增益hFE 68
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.8 mm
封装 SOT-323-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DTC114YUAT106 ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
DTC114EUAFRAT106 罗姆半导体 | 完全替代 | DTC114YUAT106和DTC114EUAFRAT106的区别 |
DTC114TUAT106 罗姆半导体 | 类似代替 | DTC114YUAT106和DTC114TUAT106的区别 |
DTC114ESATP 罗姆半导体 | 类似代替 | DTC114YUAT106和DTC114ESATP的区别 |