DTA123JEBTL

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DTA123JEBTL概述

EMTF PNP 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3F SOT-416FL


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3F


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 100mA 3-Pin EMTF T/R


Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R


Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3F


DeviceMart:
TRAN DIGITL PNP 50V 100MA EMT3F


DTA123JEBTL中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.15 W

极性 PNP

耗散功率 0.15 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-490

外形尺寸

封装 SOT-490

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

DTA123JEBTL引脚图与封装图
DTA123JEBTL引脚图
DTA123JEBTL封装图
DTA123JEBTL封装焊盘图
在线购买DTA123JEBTL
型号: DTA123JEBTL
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:EMTF PNP 50V 100mA
替代型号DTA123JEBTL
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

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