DTA124XUAT106

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DTA124XUAT106概述

UMT PNP 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 50mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3


贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP 50V 50MA


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R


安富利:
Trans Digital BJT PNP 100mA 3-Pin UMT T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin UMT T/R


Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R


Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3


DeviceMart:
TRANS PNP 50V 50MA SOT-323


DTA124XUAT106中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -50.0 mA

额定功率 0.2 W

极性 PNP

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 68 @5mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-70-3

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.9 mm

封装 SC-70-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

DTA124XUAT106引脚图与封装图
DTA124XUAT106引脚图
DTA124XUAT106封装图
DTA124XUAT106封装焊盘图
在线购买DTA124XUAT106
型号: DTA124XUAT106
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:UMT PNP 50V 100mA
替代型号DTA124XUAT106
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DTA124XUAT106

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

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