1个PNP-预偏置 100mA 50V
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SMT3
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TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3
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1个PNP-预偏置 100mA 50V
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Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP 50V 100MA
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Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SMT T/R
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Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SMT T/R
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TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
高度 1.1 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DTA113TKAT146 ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
DTA113TKA 罗姆半导体 | 类似代替 | DTA113TKAT146和DTA113TKA的区别 |
DDTA113TCA-7 美台 | 功能相似 | DTA113TKAT146和DDTA113TCA-7的区别 |