UMT PNP 50V 100mA
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT
得捷:
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
立创商城:
DTA115GUAT106
艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin UMT T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin UMT T/R
Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
额定功率 0.2 W
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 82 @5mA, 5V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323
封装 SOT-323
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DTA115GUAT106 ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
DDTA115GUA-7 美台 | 类似代替 | DTA115GUAT106和DDTA115GUA-7的区别 |
DDTA115TUA-7 美台 | 功能相似 | DTA115GUAT106和DDTA115TUA-7的区别 |