ROHM DTA114YKAT146 单晶体管 双极, 数字式, PNP, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 68 hFE
The is a 100mA PNP Digital Transistor built-in bias resistor. The built-in bias resistor enables the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors.
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- Only ON/OFF conditions need to be set for operation, making the circuit design easy
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- NPN complement is DTC114Y series
额定电压DC -40.0 V
额定电流 -100 mA
额定功率 0.2 W
极性 PNP
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 68 @5mA, 5V
额定功率Max 200 mW
直流电流增益hFE 68
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DTA114YKAT146 ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
MMUN2114LT1G 安森美 | 功能相似 | DTA114YKAT146和MMUN2114LT1G的区别 |
DTA114YUAT106 罗姆半导体 | 功能相似 | DTA114YKAT146和DTA114YUAT106的区别 |
SMMUN2114LT1G 安森美 | 功能相似 | DTA114YKAT146和SMMUN2114LT1G的区别 |