ROHM DTC114TUAT106 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 10 mA, 250 hFE
- 双极 BJT - 单,预偏置 NPN - 预偏压 表面贴装型 UMT3
得捷:
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
立创商城:
DTC114TUAT106
欧时:
双电阻器数字 NPN 晶体管,ROHM### Digital Transistors, ROHM SemiconductorResistor-equipped bipolar transistors, also known as Digital Transistors or Bias Resistor Transistors, incorporating one or two integrated resistors. A single series input resistor, or a potential divider of two resistors, allows these devices to be directly driven from digital sources. Both single and dual transistor versions are available.
贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 100MA SOT-323
e络盟:
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMT T/R
安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMT T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMT T/R
Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMT T/R
力源芯城:
NPN 0.1A 50V偏置电阻晶体管
Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
DeviceMart:
TRANS NPN 50V 100MA SOT-323
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
额定功率 0.2 W
极性 N-Channel, NPN
耗散功率 0.2 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 600
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
长度 2.1 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 SOT-323-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
DTC114TUAT106 ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
DTC114EKAT146 罗姆半导体 | 类似代替 | DTC114TUAT106和DTC114EKAT146的区别 |
DTC114EETL 罗姆半导体 | 类似代替 | DTC114TUAT106和DTC114EETL的区别 |
DTC114EUAT106 罗姆半导体 | 类似代替 | DTC114TUAT106和DTC114EUAT106的区别 |