DTA123EETL

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DTA123EETL概述

晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3


贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP 50V 100MA


e络盟:
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R


安富利:
Trans Digital BJT PNP 100mA 3-Pin EMT T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 100mA 3-Pin EMT T/R


Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R


Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3


DeviceMart:
TRANS PNP 50V 100MA SOT-416


DTA123EETL中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

额定功率 0.15 W

极性 PNP

耗散功率 0.15 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 20 @20mA, 5V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-416-3

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 0.8 mm

高度 0.7 mm

封装 SOT-416-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

DTA123EETL引脚图与封装图
DTA123EETL引脚图
DTA123EETL封装图
DTA123EETL封装焊盘图
在线购买DTA123EETL
型号: DTA123EETL
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
替代型号DTA123EETL
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DTA123EETL

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

DDTA123EE-7-F

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