晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3
得捷:
TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3
贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP 50V 100MA
e络盟:
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R
安富利:
Trans Digital BJT PNP 100mA 3-Pin EMT T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 100mA 3-Pin EMT T/R
Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R
Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3
DeviceMart:
TRANS PNP 50V 100MA SOT-416
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
额定功率 0.15 W
极性 PNP
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 20 @20mA, 5V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-416-3
长度 1.6 mm
宽度 0.8 mm
高度 0.7 mm
封装 SOT-416-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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DTA123EETL ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
DDTA123EE-7-F 美台 | 功能相似 | DTA123EETL和DDTA123EE-7-F的区别 |
DTA123EET1 安森美 | 功能相似 | DTA123EETL和DTA123EET1的区别 |
PDTA123EE,115 恩智浦 | 功能相似 | DTA123EETL和PDTA123EE,115的区别 |