DTA123EUAT106

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DTA123EUAT106概述

DTA123EUAT106 编带

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3


立创商城:
1个PNP-预偏置 100mA 50V


e络盟:
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, 50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R


安富利:
Trans Digital BJT PNP 100mA 3-Pin UMT T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 100mA 3-Pin UMT T/R


Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R


Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3


DeviceMart:
TRANS PNP 50V 100MA SOT-323


DTA123EUAT106中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

额定功率 0.2 W

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 20 @5mA, 5V

额定功率Max 200 mW

直流电流增益hFE 20

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-70-3

外形尺寸

封装 SC-70-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

DTA123EUAT106引脚图与封装图
DTA123EUAT106引脚图
DTA123EUAT106封装图
DTA123EUAT106封装焊盘图
在线购买DTA123EUAT106
型号: DTA123EUAT106
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:DTA123EUAT106 编带
替代型号DTA123EUAT106
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DTA123EUAT106

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

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美台

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