DTC614TKT146参数规格_中文资料_数据手册PDF

DTC614TKT146概述

晶体管双极预偏置/数字, 单路NPN, 20 V, 600 mA, 10 kohm

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 20V 600mA 150MHz 200mW Surface Mount SMT3

得捷:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

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DTC614TKT146

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Trans Digital BJT NPN 20V 600mA 3-Pin SMT T/R

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Trans Digital BJT NPN 20V 600mA 3-Pin SMT T/R

Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

DTC614TKT146中文资料参数规格

技术参数

额定功率 0.2 W

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 20 V

集电极最大允许电流 600mA

最小电流放大倍数hFE 820 @50mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 150 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DTC614TKT146

型号： DTC614TKT146

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：晶体管双极预偏置/数字, 单路NPN, 20 V, 600 mA, 10 kohm

替代型号DTC614TKT146

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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