DTA123JE-TP参数规格_中文资料_数据手册PDF

DTA123JE-TP概述

SOT-523 PNP 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-523

得捷:
TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523

贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP 2.2KOhms 250MHz

DeviceMart:
TRANS DGTL PNP 150MW SOT-523

DTA123JE-TP中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-523

外形尺寸

封装 SOT-523

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： DTA123JE-TP

描述：SOT-523 PNP 50V 100mA