DTD114GKT146参数规格_中文资料_数据手册PDF

DTD114GKT146概述

DTD114GKT146 编带

- 双极 BJT - 单，预偏置 NPN - 预偏压 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW 表面贴装型 SMT3

得捷:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

立创商城:
1个NPN-预偏置 500mA 50V

贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 500MA

e络盟:
晶体管双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm

艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R

Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R

Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R

Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

DTD114GKT146中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 500 mA

额定功率 0.2 W

极性 NPN

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 500mA

最小电流放大倍数hFE 56 @50mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 200 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.6 mm

高度 1.1 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

DTD114GKT146引脚图与封装图

在线购买DTD114GKT146

型号： DTD114GKT146

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：DTD114GKT146 编带

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替代型号DTD114GKT146

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